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LP2996AMRE/NOPB

更新时间: 2024-11-06 11:12:27
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德州仪器 - TI 双倍数据速率光电二极管接口集成电路稳压器
页数 文件大小 规格书
27页 2248K
描述
具有 DDR2/3/3L 关断引脚的 1.5A DDR 终端稳压器 | DDA | 8 | 0 to 125

LP2996AMRE/NOPB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HLSOP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.6差分输出:NO
接口集成电路类型:BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUITJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
湿度敏感等级:3功能数量:1
信号线数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HLSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:2.2 V
标称供电电压:2.5 V表面贴装:YES
温度等级:OTHER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

LP2996AMRE/NOPB 数据手册

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LP2996A  
ZHCSCM4 JUNE 2014  
LP2996A DDR 终端稳压器  
1 特性  
3 说明  
1
V
DDQ 最小值为 1.35V  
LP2996A 线性稳压器的设计符合 DDR-SDRAM 端接  
JEDEC SSTL-2 规范。 此器件还支持  
拉电流和灌电流  
低输出电压偏移  
无需外部电阻  
线性拓扑  
DDR2DDR3 DDR3L VTT 总线端接,VDDQ 最小  
值为 1.35V。 此器件包含高速运算放大器,可提供出  
色的负载瞬变响应。 输出级可防止在 DDR-SDRAM  
端接所需的应用中提供 1.5A 连续电流和最大 3A 的瞬  
态峰值电流时发生直通。 LP2996A 还包含一个  
挂起到 RAM (STR) 功能  
低外部元件数  
VSENSE 引脚(用于提供出色的负载调节),以及一个  
热关断  
VREF 输出(作为芯片组和 DIMM 的参考)。  
-40°C 125°C 条件下推荐使用 LP2998/8Q  
LP2996A 的一个附加特性是具有一个低电平有效关断  
(SD) 引脚,该引脚提供挂起到 RAM”(STR) 功能。 当  
SD 下拉时,VTT 输出将变为三态,并提供高阻抗输  
出,但 VREF 将保持有效。 在此模式下,可通过较低的  
静态电流获得节能优势。  
2 应用  
DDR1DDR2DDR3 DDR3L 端接电压  
FPGA  
工业/医疗 PC  
SSTL-2 SSTL-3 端接  
HSTL 端接  
器件信息(1)  
封装  
部件号  
LP2996A  
封装尺寸(标称值)  
SO PowerPAD (8)  
4.89mm x 3.90mm  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
简化电路原理图  
LP2996A  
VREF = 0.75V  
VREF  
SD  
SD  
+
0.01PF  
220PF  
VDDQ  
AVIN  
PVIN  
VDDQ = 1.5V  
VDD = 2.5V  
VSENSE  
VTT  
VTT = 0.75V  
+
+
GND  
47PF  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SNOSCY7  
 
 
 

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