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LM74910-Q1

更新时间： 2024-11-19 11:14:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 断路器二极管
页数 文件大小 规格书
48页 4659K
描述
具有断路器、200kHz ACS 以及欠压和过压保护功能的汽车类理想二极管

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LM74910-Q1 数据手册

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LM74900-Q1, LM74910-Q1  
ZHCSO86A –DECEMBER 2022 –REVISED JUNE 2023  
LM749x0-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二  
极管  
1 特性  
3 说明  
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背N 沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控  
制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至  
65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车  
类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受  
低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管  
控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特  
基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电  
源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允  
许在发生过流和过压事件时使用HGATE 控制将负载断  
开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，  
可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器  
件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模  
式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于  
停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。  
LM749x0-Q1 的最大额定电压为65V。  
– 器件温度等级1：  
–40°C 至+125°C 环境工作温度范围  
• 功能安全型  
– 可提供用于功能安全系统设计的文档  
• 3V 至65V 输入范围  
• 反向输入保护低至–65V  
• 在共漏极配置下，可驱动外部背对背N 沟道  
MOSFET  
• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管  
正常运行  
• 低反向检测阈值(-10.5mV)，具有快速关断响应  
(0.5µs)  
• 20mA 峰值栅极(DGATE) 导通电流  
• 2.6A 峰值DGATE 关断电流  
• 可调过流和短路保护  
• 精度为10% 的模拟电流监视器输出(IMON)  
• 可调节过压和欠压保护  
• 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）  
• 睡眠模式，电流为6µA（EN=高电平，SLEEP=低  
电平）  
封装信息  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
LM74900-Q1(2)  
LM74910-Q1  
VQFN (24)  
4.00mm × 4.00mm  
• 采用合适的TVS 二极管，符合汽车ISO7637 瞬态  
要求  
• 采用节省空间的24 引脚VQFN 封装  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
(2) 预发布信息（非量产数据）。  
2 应用  
• 汽车电池保护  
– ADAS 域控制器  
– 信息娱乐系统与仪表组  
– 汽车音频：外部放大器  
• 用于冗余电源的有源ORing  
Q1  
Q2  
VBATT  
RSENSE  
VOUT  
RISCP  
RSET  
RG  
COUT  
CIN  
Cdvdt  
C
VS  
ISCP CS+  
CS-  
DGATE CAP  
HGATE  
A
OUT  
SW  
R1  
R2  
FLT  
EN  
LM749x0-Q1  
UVLO  
OV  
ON OFF  
ON  
SLEEP  
OFF  
TMR  
CT  
IMON  
ILIM  
RLIM  
GND  
R3  
RMON  
典型应用图  
具有过流保护功能的器件启动  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDE6  
 
 
 
 
 
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