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LM74930-Q1

更新时间: 2024-09-14 17:02:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 断路器
页数 文件大小 规格书
40页 3589K
描述
具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器

LM74930-Q1 数据手册

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参考文献  
LM74930-Q1  
ZHCSQT8 OCTOBER 2023  
LM74930-Q1 具有断路器、过压保护和故障输出功能的汽车类理想二极管浪涌  
抑制器  
1 特性  
3 说明  
• 符合面向汽车应用AEC-Q100 标准  
LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背 N 沟道 MOSFET从而模拟理想二极管整流器和  
电源路径开/关控制并提供过流和过压保护功能。4 V  
65V 的宽输入电源电压可保护和控12V 24V 汽  
车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受  
低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控  
(HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。  
该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压  
事件时允许负载断开/关控制),同时理想二极管  
控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特  
基二极管从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端  
来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集  
成的电流检测放大器通过断路器功能提供可调节的过  
流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功  
可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引  
脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。  
– 器件温度等1:  
40°C +125°C 环境工作温度范围  
4V 65V 输入范围  
• 反向输入保护低65V  
• 在共源极配置下可驱动外部背对N 沟道  
MOSFET  
10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下理想二极管  
正常运行  
• 低反向检测阈(-10.5mV)具有快DGATE 关  
断响(0.5µs)  
18mA 峰值栅(DGATE) 导通电流  
2.6A DGATE 关断电流  
• 可调过流和短路保护  
• 精度10% 的模拟电流监视器输(IMON)  
• 可调节过压和欠压保护  
2.5μA 低关断电流EN = 低电平)  
MODE 引脚可允许双向电流MODE = 低电平)  
• 采用合适TVS 二极管符合汽ISO7637 瞬态  
要求  
封装信息  
封装(1)  
封装尺寸(2)  
器件型号  
LM74930-Q1  
RGEVQFN244.0mm × 4.0mm  
• 采用节省空间24 VQFN 封装  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
2 应用  
(2) 封装尺寸× 为标称值并包括引脚如适用。  
12V/24V 汽车反向电池保护  
工业运输  
冗余电ORing  
VBAT 12-V or 24-V  
With 200-V Unsuppressed  
Load Dump  
Q2  
Q1  
RSENSE  
RSET  
VOUT  
RISCP  
CIN  
CCAP  
R1  
ISCP  
CS+  
C
HGATE  
CAP  
VS  
OUT  
A
DGATE  
CS-  
VBAT  
V_EXT  
SW  
R1  
R2  
FLT  
EN  
LM74930  
UVLO  
DZ  
CVS  
MODE  
OV  
TMR  
IMON  
ILIM  
RILIM  
GND  
R3  
CT  
RMON  
200V 负载突降保护功能的理想二极管  
未抑制的负载突200V - 输出钳位  
本资源的原文使用英文撰写方便起见TI 提供了译文由于翻译过程中可能使用了自动化工具TI 不保证译文的准确性确认  
准确性请务必访ti.com 参考最新的英文版本控制文档。  
English Data Sheet: SNOSDF6  
 
 
 
 

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