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LM74912-Q1

更新时间： 2024-09-14 15:18:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
40页 3998K
描述
具有集成过压和短路保护以及故障输出功能的汽车理想二极管

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LM74912-Q1 数据手册

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LM74912-Q1  
ZHCSOF1A –JULY 2023 –REVISED SEPTEMBER 2023  
LM74912-Q1 具有故障输出及过压、欠压和短路保护功能的汽车类理想二极管  
控制器  
1 特性  
3 说明  
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  
LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背N 沟道MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控  
制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流  
器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V  
和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保  
护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的  
理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET  
来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压  
保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况  
下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE  
控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电  
流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测  
的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路  
时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调  
节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超  
低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为  
始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大  
额定电压为65V。  
– 器件温度等级1：  
–40°C 至+125°C 环境工作温度范围  
• 功能安全型  
– 可提供用于功能安全系统设计的文档  
• 3V 至65V 输入范围  
• 反向输入保护低至–65V  
• 在共漏极配置下，可驱动外部背对背N 沟道  
MOSFET  
• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管  
正常运行  
• 低反向检测阈值(-10.5mV)，能够快速响应(0.5µs)  
• 20mA 峰值栅极(DGATE) 导通电流  
• 2.6A 峰值DGATE 关断电流  
• 可调节过压和欠压保护  
• 具有MOSFET 锁存状态的输出短路保护  
• 超低功耗模式具有2.5µA 关断电流（EN=低电平）  
• 睡眠模式具有6µA 电流（EN=高电平，SLEEP=低  
电平）  
封装信息  
封装(1)  
• 采用合适的瞬态电压抑制(TVS) 二极管，符合汽车  
ISO7637 瞬态要求  
• 采用4mm × 4mm 24 引脚VQFN 封装  
封装尺寸(2)  
器件型号  
RGE（VQFN，  
24）  
LM74912-Q1  
4.0mm × 4.0mm  
2 应用  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
(2) 封装尺寸（长× 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。  
• 汽车电池保护  
– ADAS 域控制器  
– 信息娱乐系统与仪表组  
– 汽车外部放大器  
• 用于冗余电源的有源ORing  
Q1  
Q2  
VBATT  
VOUT  
RSET  
RSCP  
COUT  
CIN  
C
ISCP  
VS  
CS+  
CS-  
DGATE CAP  
HGATE  
A
OUT  
FLT  
EN  
SW  
R1  
R2  
LM74912-Q1  
GND  
UVLO  
OV  
ON OFF  
ON  
SLEEP  
OFF  
R3  
典型应用电路  
短路响应  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDE8  
 
 
 
 
 
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与LM74912-Q1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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