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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 2.5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LL5805 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, DO-213AB, |
|
| LL5806 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-213AB, |
|
| LL5817 | MDD |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 40 Volts Forward Current |
|
| LL5817 | JINANJINGHENG |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| LL5817 | RFE |
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SURFACE MOUNT: Super Fast Recovery Schottky & Bridge Rectifiers |
|
| LL5817 | TSC |
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1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
|
| LL5817 | EIC |
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SCHOTTKY BARRIER |
|
| LL5817_1 | TSC |
获取价格 |
1.0AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
|
| LL5817_10 | TSC |
获取价格 |
1.0AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
|
| LL5817_14 | TSC |
获取价格 |
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
|
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