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LL5711-7

更新时间： 2024-09-25 14:52:23

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美台 - DIODES		二极管
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1页	29K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 70V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2

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LL5711-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.001 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

LL5711-7 数据手册

LL5711

SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE

Features

Ultra-Fast Switching Speed

High Reverse Breakdown Voltage

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Junction Protection

Mechanical Data

MiniMELF

Case: MiniMELF, Glass

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Dim

Min

3.30

1.30

0.28

Max

3.70

1.60

0.50

Method 208

Marking: Cathode Band Only

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.05 grams (approx.)

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

LL5711

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

V_R(RMS)

I_FM

RMS Reverse Voltage

K/W

°C

Forward Continuous Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

P_d

250

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

600

T_j, T_STG

-65 to +175

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Symbol

V_(BR)R

I_R

Min

Max

Unit

Test Condition

I_R= 10mA

V_R= 50V

200

I_F= 1.0mA

I_F= 15mA

0.41

1.00

V_F

C_j

t_rr

Forward Voltage Drop

Junction Capacitance

Reverse Recovery Time

V_R= 0V, f = 1.0MHz

2.0

1.0

I_F= I_R= 5.0mA,

I_rr= 0.1 x I_R, R_L= 100W

Note:

1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

DS30075 Rev. A-2

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www.diodes.com

LL5711

ã Diodes Incorporated

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