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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.6 | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.98 V | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| LL5803 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 75V V(RRM), Silicon, DO-213AB, |
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| LL5804 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, DO-213AB, |
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| LL5805 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, DO-213AB, |
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| LL5806 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-213AB, |
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| LL5817 | MDD | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 40 Volts Forward Current |
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| LL5817 | JINANJINGHENG | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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