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LF353N/NOPB

更新时间： 2024-11-23 19:46:39

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	588K
描述
IC DUAL OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, DIP-8, Operational Amplifier

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LF353N/NOPB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.25	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	标称共模抑制比：	100 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电流 (IIO)：	0.004 µA
最大输入失调电压：	13000 µV	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.8171 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	+-15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最小摆率：	8 V/us	标称压摆率：	13 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	6.5 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
标称均一增益带宽：	4000 kHz	最小电压增益：	15000
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

LF353N/NOPB 数据手册

December 2003

LF353

Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

General Description

Features

n Internally trimmed offset voltage:

n Low input bias current:

n Low input noise voltage:

n Low input noise current:

n Wide gain bandwidth:

n High slew rate:

10 mV

50pA

These devices are low cost, high speed, dual JFET input

operational amplifiers with an internally trimmed input offset

™

voltage (BI-FET II technology). They require low supply

√

25 nV/ Hz

current yet maintain a large gain bandwidth product and fast

slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input

devices provide very low input bias and offset currents. The

LF353 is pin compatible with the standard LM1558 allowing

designers to immediately upgrade the overall performance of

existing LM1558 and LM358 designs.

√

0.01 pA/ Hz

4 MHz

13 V/µs

3.6 mA

10¹²

Ω

≤0.02%

50 Hz

2 µs

n Low supply current:

n High input impedance:

n Low total harmonic distortion :

n Low 1/f noise corner:

n Fast settling time to 0.01%:

These amplifiers may be used in applications such as high

speed integrators, fast D/A converters, sample and hold

circuits and many other circuits requiring low input offset

voltage, low input bias current, high input impedance, high

slew rate and wide bandwidth. The devices also exhibit low

noise and offset voltage drift.

Typical Connection

Connection Diagram

Dual-In-Line Package

00564917

00564914

Top View

Order Number LF353M, LF353MX or LF353N

See NS Package Number M08A or N08E

Simplified Schematic

1/2 Dual

00564916

™

BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.

DS005649

www.national.com

12 3 4 5 6 7...14

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LF353NS	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
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