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LF355BJ

更新时间: 2024-11-23 04:20:31
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美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
15页 543K
描述
Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers

LF355BJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP14,.3
针数:14Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.82放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):0.005 µA
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电压:6500 µVJESD-30 代码:R-GDIP-T14
JESD-609代码:e0长度:19.304 mm
低-偏置:YES低-失调:NO
标称负供电电压 (Vsup):-15 V功能数量:1
端子数量:14最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:+-15/+-20 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
标称压摆率:5 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:4 mA标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:2500 kHz宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

LF355BJ 数据手册

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