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LF2802A

更新时间: 2024-09-11 23:15:15
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泰科 - TE 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 215K
描述
RF MOSFETPower Transistor,2W,28V 500-1000MHz

LF2802A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.47外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):0.7 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1.2 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:8 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

LF2802A 数据手册

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