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LF2805A

更新时间： 2024-11-23 14:55:47
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页数 文件大小 规格书
4页 607K
描述
RF Power MOSFET Transistor 5W, 500-1000MHz, 28V

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LF2805A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.4 A
最大漏极电流 (ID)：1.4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：S-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LF2805A 数据手册

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LF2805A  
RF Power MOSFET Transistor  
5 W, 500 - 1000 MHz, 28 V  
Rev. V1  
Features  
Package Outline  
N-Channel enhancement mode device  
DMOS structure  
Lower capacitances for broadband operation  
Common source configuration  
Lower noise floor  
Applications  
Broadband linear operation  
500 MHz to 1400 MHz  
RoHS Compliant  
Absolute Maximum Ratings @ 25°C  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
IDS  
Rating  
65  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Current  
Power Dissipation  
20  
V
1.4  
A
PD  
14.4  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
TJ  
200  
°C  
MILLIMETERS  
INCHES  
LETTER  
DIM.  
MIN  
20.70  
14.35  
13.72  
6.27  
6.22  
6.22  
1.14  
2.92  
1.40  
1.96  
3.61  
.08  
MAX  
20.96  
14.61  
14.22  
6.53  
6.48  
6.48  
1.40  
3.18  
1.65  
2.46  
4.37  
.15  
MIN  
.815  
.565  
.540  
.247  
.245  
.245  
.045  
.115  
.055  
.077  
.142  
.003  
MAX  
.825  
.575  
.560  
.257  
.255  
.255  
.055  
.125  
.065  
.097  
.172  
.006  
TSTG  
θJC  
-65 to +150  
12.1  
°C  
A
B
C
D
E
F
°C/W  
Typical Device Impedance  
F (MHz)  
500  
ZIN (Ω)  
4.3 - j29.0  
2.2 - j2.75  
2.8 - j3.0  
ZLOAD (Ω)  
27.3 +j28.6  
8.0 + j16.0  
9.4 + j10.6  
1000  
1400  
G
H
J
VDD = 28V, IDQ = 50mA, POUT = 5.0 W  
K
L
ZIN is the series equivalent input impedance of the device from  
gate to source.  
M
ZLOAD is the optimum series equivalent load impedance as  
measured from drain to ground.  
Electrical Characteristics @ 25°C  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain-Source Leakage Current  
Gate-Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Symbol  
BVDSS  
IDSS  
Min  
65  
-
Max  
-
Units  
V
Test Conditions  
VGS = 0.0 V , IDS = 2.0 mA  
1.0  
1.0  
6.0  
-
mA  
µA  
V
VGS = 28.0 V , VGS = 0.0 V  
VGS = 20.0 V , VDS = 0.0 V  
IGSS  
-
VGS(TH)  
GM  
2.0  
80  
-
VDS = 10.0 V , IDS = 10.0 mA  
mS  
pF  
pF  
pF  
dB  
%
VDS = 10.0 V , IDS = 100.0 mA , Δ VGS = 1.0V, 80 μs Pulse  
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
CISS  
7
Output Capacitance  
COSS  
CRSS  
GP  
-
5
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
Reverse Capacitance  
Power Gain  
-
2.4  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
10  
50  
-
VDD = 28.0 V, IDQ = 50 mA, POUT = 5.0 W F =1.0 GHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 50 mA, POUT = 5.0 W F =1.0 GHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 50 mA, POUT = 5.0 W F =1.0 GHz  
Drain Efficiency  
ŋD  
-
Load Mismatch Tolerance  
VSWR-T  
20:1  
-
1
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