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LF2810A

更新时间: 2024-11-21 23:15:15
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 205K
描述
RF MOSFET Power Transistor, IOW, 28V 500 - 1000 MHz

LF2810A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.37Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):2.8 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):4.8 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:26.5 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LF2810A 数据手册

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