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LD268

更新时间： 2024-11-14 22:31:27

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描述
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays

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LD268 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen

GaAs Infrared Emitter Arrays

LD 260

LD 262 ... LD 269

Chip

position

7.4

7.0

0.5

0.4

0... 5

0.4

0.7

0.6

2.54 mm

spacing

2.1

1.5

GEO06367

1.4

1.0

Collector (BPX 83)

Cathode (LD 263)

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● Hohe Zuverlässigkeit

● High reliability

● Gehäusegleich mit BPX 80-Serie

● Same package as BPX 80 series

Anwendungen

Applications

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Miniature photointerrupters

● Punched tape-readers

● Industrial electronics

● Industrieelektronik

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LD-268	OSRAM	获取价格	GaAs infrared emitting diode
LD2-680	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 10%, Amorphous Metal Alloy-Core, 3128,
LD2-680R	COOPER	获取价格	1 ELEMENT, 68uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, ROHS COMPLIANT
LD2-680-R	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 3128, ROHS COMPLIANT
LD269	INFINEON	获取价格	GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
LD269	OSRAM	获取价格	GaAs Infrared Emitter Arrays
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