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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.5 V |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LD27128A-3 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| LD27128A30 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 16KX8, 300ns, MOS, CDIP28 |
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| LD2716 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| LD271H | INFINEON |
获取价格 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
|
| LD271H | OSRAM |
获取价格 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter |
|
| LD271HL | INFINEON |
获取价格 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
|
| LD271L | SIEMENS |
获取价格 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
|
| LD271L | OSRAM |
获取价格 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter |
|
| LD271L | INFINEON |
获取价格 |
INFRARD EMITTER |
|
| LD271LH | OSRAM |
获取价格 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter |
|
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