LD271

更新时间： 2024-11-14 22:31:27

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描述
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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LD271 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

LD 271, LD 271 H

LD 271 L, LD 271 HL

Area not flat

9.0

0.6

0.4

8.2

5.9

5.5

7.8

7.5

1.8

1.2

0.6

0.4

4.8

4.2

14.0

13.0

11.4

11.0

GEX06239

Cathode

Chip position

Approx. weight 0.5 g

Cathode

9.0

8.2

1.8

1.2

7.8

7.5

5.9

5.5

4.8

4.2

0.6

0.4

Area not flat

GEO06645

Chip position

Approx. weight 0.2 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAs-IR-LED, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Lange Anschlüsse

● High pulse handling capability

● long leads

● Gruppiert lieferbar

● Available in groups

● Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203

● Same package as SFH 300, SFH 203

Anwendungen

Applications

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,

Lichtdimmern

● Gerätefernsteuerungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control of various equipment

● Photointerrupters

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LD-271	OSRAM	获取价格	GaAs Infrared Emitter
LD27128	INTEL	获取价格	UVPROM, 16KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
LD27128-25	INTEL	获取价格	UVPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28,
LD27128-4	INTEL	获取价格	UVPROM, 16KX8, 450ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
LD27128-45	INTEL	获取价格	UVPROM, 16KX8, 450ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
LD27128A	ETC	获取价格	x8 EPROM
LD27128A-2	ETC	获取价格	x8 EPROM
LD27128A-20	ETC	获取价格	x8 EPROM
LD27128A25	INTEL	获取价格	UVPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28
LD27128A-25	ETC	获取价格	x8 EPROM