LD261-5

更新时间： 2024-11-13 22:31:27

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描述
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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LD261-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最大正向电流：	0.06 A
最大正向电压：	1.4 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值波长：	950 nm	最长响应时间：	0.000001 s
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	GaAs
光谱带宽：	5.5e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	视角：	60 deg
Base Number Matches：	1

LD261-5 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

LD 261

Chip

position

2.4

2.1

0.5

0.4

0... 5

0.7

0.6

2.1

1.5

2.54 mm spacing

0.4

Radiant sensitive area

(0.4 x 0.4)

1.4

1.0

Collector (BPX 81)

Cathode (LD 261)

1) Detaching area for tools, flash not true to size.

Approx. weight 0.03 g

GEO06021

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Gruppiert lieferbar

● Available in bins

● Gehäusegleich mit BPX 81

● Same package as BPX 81

Anwendungen

Applications

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Miniature photointerrupters

● Punched tape readers

● Industrial electronics

● Industrieelektronik

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

LD 261

Q62703-Q395

Q62703-Q67

Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-

mig im 2.54-mm-Raster ( / ’’), Kathodenkennzeich-

LD 261-5

nung: Nase am Lötspieß

Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs

lead spacing 2.54 mm ( / ’’), cathode marking: projec-

tion at solder lead

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4

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