LD263

更新时间： 2024-01-25 04:09:23

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GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays

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LD263 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen

GaAs Infrared Emitter Arrays

LD 260

LD 262 ... LD 269

Chip

position

7.4

7.0

0.5

0.4

0... 5

0.4

0.7

0.6

2.54 mm

spacing

2.1

1.5

GEO06367

1.4

1.0

Collector (BPX 83)

Cathode (LD 263)

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● Hohe Zuverlässigkeit

● High reliability

● Gehäusegleich mit BPX 80-Serie

● Same package as BPX 80 series

Anwendungen

Applications

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Miniature photointerrupters

● Punched tape-readers

● Industrial electronics

● Industrieelektronik

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Semiconductor Group

1997-11-01

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