5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.25 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LBE110R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE110X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE111 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE111R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE111X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE112 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE112R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE112X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE113 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
| LBE114 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
