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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.25 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LBE111R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE111X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE112 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE112R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE112X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE113 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE114 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE114R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE114X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| LBE2003S | NXP |
获取价格 |
NPN microwave power transistors |
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