是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.61 |
其他特性: | HIGH STABILITY | 配置: | SINGLE |
功能数量: | 1 | 最高工作温度: | 30 °C |
最低工作温度: | 光电设备类型: | LASER DIODE | |
标称输出功率: | 1000 mW | 峰值波长: | 808 nm |
最大阈值电流: | 350 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L8768-06 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Laser Diode | |
L8768-41 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Laser Diode | |
L8768-42 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Laser Diode | |
L8768-61 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Laser Diode | |
L88016 | POLYFET |
获取价格 |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR | |
L8801P | POLYFET |
获取价格 |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR | |
L8801PR | POLYFET |
获取价格 |
暂无描述 | |
L8821P | POLYFET |
获取价格 |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR | |
L8828-04 | HAMAMATSU |
获取价格 |
CW LASER DIODES | |
L8828-06 | HAMAMATSU |
获取价格 |
CW LASER DIODES |