是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码: | R-CDIP-T24 |
长度: | 30.48 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX1 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.953 mm | 最小待机电流: | 2 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C197DMB25 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 | |
L7C197DMB35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 | |
L7C197DMB45 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 | |
L7C197KC15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C197KC20 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197KC25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C197KM20 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197KM25 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197KM35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C197KMB20 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |