是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER OPERATION; BATTERY BACKUP OPERATION |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.004 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.572 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C197PC35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
L7C197PC-35 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197PC-45 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197PI15 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
L7C197PI20 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197PI25 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197VC12 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-24 | |
L7C197VC-12 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197VC-15 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
L7C197VC-20 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |