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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.75 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| L7C197CME-15 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| L7C197CME20 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 |
|
| L7C197CME-20 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| L7C197CME-25 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| L7C197CME-35 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| L7C197CME-45 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| L7C197DC12 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 |
|
| L7C197DMB20 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 |
|
| L7C197DMB25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 |
|
| L7C197DMB35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 |
|
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