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L7C186DM25

更新时间: 2024-11-28 19:02:43
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 339K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

L7C186DM25 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:25 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; FLASH CLEAR
JESD-30 代码:R-CDIP-T28长度:35.56 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.953 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

L7C186DM25 数据手册

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