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L7C185WC85

更新时间: 2024-11-26 20:24:15
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 661K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDSO28

L7C185WC85 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ28,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

L7C185WC85 数据手册

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