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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00025 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| L7C185DMB12 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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| L7C185DMB15 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7C185DMB20 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| L7C185DMB25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| L7C185DMB35 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C185DME12 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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| L7C185DME15 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7C185DME20 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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| L7C185DME25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7C185DME35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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