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L7C185DME12

更新时间： 2024-11-25 20:35:43

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	819K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

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L7C185DME12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.88
最长访问时间：	12 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	座面最大高度：	4.953 mm
最大待机电流：	0.00025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C185DME15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185DME25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185DME45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME85	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185HC10	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185HC12	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185HC15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185HC20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28