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L7C185DMB25

更新时间： 2024-11-25 20:35:43

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	819K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

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L7C185DMB25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.953 mm	最大待机电流：	0.00025 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C185DMB35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME12	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185DME15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185DME25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185DME45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185DME85	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C185HC10	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C185HC12	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28