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KTX102E

更新时间： 2024-10-02 22:32:03

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KEC		晶体晶体管光电二极管局域网
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5页	102K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR

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KTX102E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTX102E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTX102E

EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

FEATURES

Including two devices in TES6.

(Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.)

Simplify circuit design.

DIM MILLIMETERS

1.6+0.05

1.0+0.05

Reduce a quantity of parts and manufacturing process.

1.6+0.05

1.2+0.05

0.50

0.2+0.05

0.5+0.05

0.12+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

MARKING

Type Name

Rank

1. Q EMITTER

2. Q BASE

3. Q BASE

4. Q COLLECTOR

5. Q EMITTER

6. Q COLLECTOR

TES6

Q₁MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-50

UNIT

-50

-5

-150

-30

I_B

Base Current

Q₂MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

150

I_B

Base Current

Q_1,Q₂MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

P_C*

RATING

200

UNIT

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Raing.

-55 150

2004. 1. 28

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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