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KTX111T

更新时间： 2024-10-03 03:48:59

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KEC		晶体晶体管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	99K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR

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KTX111T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

KTX111T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTX111T

EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

FEATURES

ᴌIncluding two devices in TS6.

(Thin Super Mini type with 6 pin)

ᴌSimplify circuit design.

DIM MILLIMETERS

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

0.70+0.05

0.4 0.1

ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

0.55

Marking

1. Q EMITTER

2. Q BASE

Lot No.

Rank

3. Q COLLECTOR

4. Q EMITTER

5. Q BASE

Type Name

6. Q COLLECTOR

TS6

Q1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

-500

Ὠ

I_E

Emitter Current

Q2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-35

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-5

Collector Current

-500

500

Ὠ

I_E

Emitter Current

Q1, Q2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

P_C*

RATING

0.9

UNIT

Collector Power Dissipation

T_j

Junction Temperature

150

ᴱ

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

2002. 1. 24

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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