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KST93MTF PDF预览

KST93MTF

更新时间： 2024-01-03 06:49:58
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL

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KST93MTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.81
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KST93MTF 数据手册

 浏览型号KST93MTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KST93MTF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KST93MTF的Datasheet PDF文件第4页 
KST92/93  
3
High Voltage Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
CEO  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5  
V
mA  
EBO  
I
-500  
350  
150  
357  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
mW  
°C  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
• Refer to KSP92/93 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -1mA, I =0  
C B  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KST92  
CBO  
V
V
= -200V, I =0  
-0.25  
-0.25  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KST93  
= -160V, I =0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -5V, I =0  
-0.1  
µA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
25  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.5  
-0.9  
V
V
CE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
BE  
C
B
C
Output Capacitance  
: KST92  
ob  
V
= -20V, I =0  
6
8
pF  
pF  
CB  
E
: KST93  
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -20V, I = -10mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, January 2003  
1234

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KST93MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSP93TA FAIRCHILD

类似代替

 KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor

与KST93MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST93S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST93-TF SAMSUNG

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 		500mA, 200V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23
KSTW002A5B LINEAGEPOWER

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 		DC-DC Converter Power Modules
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 		DC-DC Converter Power Modules
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KSTW010A0F LINEAGEPOWER

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 		36-75Vdc Input; 3.3Vdc, 10A Output
KSTW010A0F41SRZ LINEAGEPOWER

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 		36-75Vdc Input; 3.3Vdc, 10A Output
KSTW010A0F41Z LINEAGEPOWER

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 		36-75Vdc Input; 3.3Vdc, 10A Output

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