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KSP93TA

更新时间: 2024-11-04 12:28:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor

KSP93TA 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

KSP93TA 数据手册

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KSP92/93  
High Voltage Transistor  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
CEO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5  
-500  
625  
V
mA  
EBO  
C
I
C
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
mW  
mW/°C  
W
a
Derate above 25°C  
5
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
1.5  
C
C
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
12  
mW/°C  
°C  
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -1mA, I =0  
C B  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cur-off Current  
: KSP92  
CBO  
V
V
= -200V, I =0  
= -160V, I =0  
E
-0.25  
-0.25  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KSP93  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -3V, I =0  
-0.10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
25  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.50  
-0.90  
V
V
CE  
BE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
C
B
f
V
= -20V, I = -10mA, f=100MHz  
50  
MHz  
T
CE  
C
C
Output Capacitance  
: KSP92  
ob  
V
= -20V, I =0  
6
8
pF  
pF  
CB  
E
: KSP93  
f=1MHz  
* Pulse Test: PW300µs, Duty Cycle2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  

KSP93TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSP93BU FAIRCHILD

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KST93MTF FAIRCHILD

类似代替

PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL

与KSP93TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP94 FAIRCHILD

获取价格

High Voltage Transistor
KSP94BU FAIRCHILD

获取价格

High Voltage Transistor
KSP94BU ONSEMI

获取价格

PNP 外延硅晶体管
KSP94BU_NL FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSP94TA FAIRCHILD

获取价格

PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
KSP94TA ROCHESTER

获取价格

300mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
KSP94TA ONSEMI

获取价格

PNP 外延硅晶体管
KSPA02J OTAX

获取价格

DIP Switch
KSPA02L OTAX

获取价格

DIP Switch
KSPA02S OTAX

获取价格

DIP Switch