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KST92S62Z PDF预览

KST92S62Z

更新时间： 2024-01-11 16:28:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KST92S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KST92S62Z 数据手册

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KST92/93  
3
High Voltage Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
CEO  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5  
V
mA  
EBO  
I
-500  
350  
150  
357  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
mW  
°C  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
• Refer to KSP92/93 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -1mA, I =0  
C B  
: KST92  
: KST93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KST92  
CBO  
V
V
= -200V, I =0  
-0.25  
-0.25  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KST93  
= -160V, I =0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
=3V, I =0  
-0.1  
µA  
EBO  
CE  
C
h
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
25  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.5  
-0.9  
V
V
CE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
BE  
C
B
C
Output Capacitance  
: KST92  
ob  
V
= -20V, I =0  
6
8
pF  
pF  
CB  
E
: KST93  
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -20V, I = -10mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST92-TF SAMSUNG

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 		500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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