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KST17S62Z PDF预览

KST17S62Z

更新时间： 2024-01-11 08:19:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

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KST17S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：800 MHzBase Number Matches：1

KST17S62Z 数据手册

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KST17  
CATV Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
Units  
V
V
V
V
P
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
15  
V
CEO  
EBO  
C
3.0  
V
Collector Dissipation (T =25°C)  
6.25  
5.0  
mA  
mA/°C  
mW  
°C  
a
Derate above 25°C  
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
200  
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
• Refer to KSP17 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
20  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1mA, I =0  
15  
C
B
I =10µA, I =0  
3.0  
V
E
C
I
V
=15V, I =0  
100  
250  
0.5  
nA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=10V, I =5mA  
25  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I =10mA, I =1mA  
V
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA,  
800  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
0.3  
30  
0.9  
6.0  
pF  
ob  
CB  
E
h
Small Signal Current Gain  
=10V, I =5mA,  
C
fe  
CB  
f=1MHz  
NF  
Noise Figure  
Power Gain  
V
=12V, I =5mA  
dB  
dB  
CC  
C
R =50Ω, f=200MHz  
S
G
V
=12V, I =5mA  
24  
PE  
CC  
C
R =50Ω, f=200MHz  
S
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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