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KST2222L99Z

更新时间： 2024-02-20 20:07:10

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST2222L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

KST2222L99Z 数据手册

KST2222

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Storage Temperature

V_CBO

600

350

150

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_STG

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Max

Unit

I_C=10mA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

I_E=10mA, I_C=0

V_CB=60V, V_BE=3V

V_CB=50V, I_E=0

V_CE=10V, I_C=0.1mA

V_CE=10V, I_C=1.0mA

V_CE=10V, I_C=10mA

*VCE=10V, IC=150mA

*V_CE=10V, I_C=500mA

I_C=150mA, I_B=15mA

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=150mA, I_B=15mA

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=20mA, V_CE=20V

f=100MHz

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CEX

I_CBO

h_FE

0.01

100

.30

300

V_CE(sat)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

* Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

MHz

0.4

1.6

1.3

2.6

V_BE(sat)

f_T

250

C_CB

V_CB=10V, I_E=0

f=1.0MHz

V_CC=30V, V_BE=0.5V

I_C=150mA, I_B1=15mA

V_CC=30V, I_C=150mA

I_B1=I_B2=15mA

8.0

Turn On Time

T_ON

Turn Off Time

T_OFF

285

* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%

Rev. B

ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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