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KSR1006BU PDF预览

KSR1006BU

更新时间： 2024-11-29 14:43:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSR1006BU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

KSR1006BU 数据手册

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KSR1006  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =10KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to KSR2006  
TO-92  
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
Equivalent Circuit  
C
R1  
B
R2  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
10  
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
300  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =100µA, I =0  
50  
C
B
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =10mA, I =0.5mA  
V
CE  
C
B
C
V
=10mA, I =0  
3.7  
pF  
ob  
CE  
E
f=1.0MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Off Voltage  
V
V
V
=10V, I =5mA  
250  
MHz  
V
T
CB  
CE  
CE  
C
V (off)  
=5V, I =100µA  
0.3  
I
C
V (on)  
Input On Voltage  
=0.3V, I =1mA  
1.4  
13  
V
I
C
R
Input Resistor  
7
10  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.19  
0.21  
0.24  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, October 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Switching Application
KSR1007 SAMSUNG

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 		NPN SWITCHING APPLICATION)
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