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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-126, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.49 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8000 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 2000 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD986OS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, |
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| KSD986R | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, |
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| KSD986-R | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| KSD986Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, |
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| KSD986-Y | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 |
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| KSD986YS | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSD986YS | ROCHESTER |
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1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126, LEAD FREE, TO-126, 3 PIN |
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| KSD986YSTSSTU | ROCHESTER |
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1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126, LEAD FREE, TO-126, 3 PIN |
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| KSD999 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSDB1110MP | LITTELFUSE |
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SOLID STATE TIMER |
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