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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSD986R
KSD986R PDF预览

KSD986R

更新时间： 2024-02-19 12:49:29
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, TO-126, 3 PIN

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KSD986R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：LEAD FREE, TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.49
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：8000JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：2000 ns最大开启时间（吨）：500 ns
Base Number Matches：1

KSD986R 数据手册

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KSD985/986  
Low Frequency Power Amplifier  
•
Low Speed Switching Industrial Use  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Volage  
Value  
Units  
V
V
150  
V
CBO  
CEO  
: KSD985  
: KSD986  
60  
80  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
8.0  
1.5  
V
A
EBO  
I
C
I
I
3.0  
A
CP  
B
0.15  
1.0  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
C
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
10  
Units  
µA  
I
I
V
V
= 60V, I = 0  
CBO  
CER  
CB  
CE  
E
= 60V, R = 51Ω  
1.0  
mA  
BE  
@ T = 125°C  
C
I
I
Collector Cut-off Current  
V
V
= 60V, V (off) = -1.5A  
10  
1.0  
µA  
mA  
CEX1  
CE  
BE  
= 60V, V (off) = -1.5A  
CEX2  
CE  
BE  
@ T = 125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1.0  
mA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= 2V, I = 0.5A  
1000  
2000  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
30000  
1.5  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= 1A, I = 1mA  
V
CE  
C
C
B
= 1A, I = 1mA  
2.0  
V
BE  
B
t
t
t
V
= 50V, I = 1A  
0.5  
1.0  
1.0  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
I
= - I = 1mA  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 50Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
2000 ~ 5000  
4000 ~ 10000  
8000 ~ 30000  
FE2  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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