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KSD999

更新时间: 2024-01-06 16:16:45
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

KSD999 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):110 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

KSD999 数据手册

  

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