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KSD261CGTA

更新时间: 2023-09-03 20:33:06
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 293K
描述
NPN外延硅晶体管

KSD261CGTA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.59
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

KSD261CGTA 数据手册

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Physical Dimensions  
Figure 6. 3-Lead, TO-92, Molded, 0.2 In Line Spacing Lead Form, Ammo Type  
© 2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSD261 Rev. 2.1  
www.fairchildsemi.com  
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