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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KSD261CGTA_NL | FAIRCHILD |
功能相似  |
Low Frequency Power Amplifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD261CGTA_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261CO | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD261COBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD261CYBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261CYTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| KSD261G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| KSD261GBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSD261GD26Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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