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KSD261CGTA

更新时间： 2024-02-06 20:38:51

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安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	293K
描述
NPN外延硅晶体管

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KSD261CGTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

KSD261CGTA 数据手册

Typical Performance Characteristics

500

1000

100

V_CE= 1V

450

I_B= 2.0mA

I_B= 1.8mA

I_B= 1.6mA

400

350

300

250

200

150

100

I_B= 1.4mA

I_B= 1.2mA

I_B= 1.0mA

I_B= 0.8mA

I_B= 0.6mA

I_B= 0.4mA

I_B= 0.2mA

100

1000

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC Current Gain

100

I_C= 10 I_B

V_CE= 1V

V_BE(sat)

0.1

V_CE(sat)

0.01

0.1

0.0

100

1000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage and

Collector-Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Base-Emitter On Voltage

100

I_E= 0

f = 1MHz

100

V_CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE

Figure 5. Collector Output Capacitance

KSD261 Rev. 2.1

www.fairchildsemi.com

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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KSD261CO	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
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