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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2715RS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2715S62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2715TF | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| KSC2715Y | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSC2715YD87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2715YL99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2715YMTF | ROCHESTER |
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50mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| KSC2715YS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2734 | SAMSUNG |
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NPN (MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER) |
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| KSC2751 | SAMSUNG |
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NPN (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING INDUSTRIAL USE) |
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