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KSC2751

更新时间： 2024-11-20 23:16:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
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5页 58K
描述
High Speed High Current Switching Industrial Use

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KSC2751  
High Speed  
High Current Switching Industrial Use  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
V
7
V
I
I
I
15  
A
C
30  
A
CP  
B
7.5  
A
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
120  
W
°C  
°C  
C
C
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
400  
450  
Typ Max Units  
V
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 10A, I = 2A, L = 50µH  
V
V
CEO  
C
B1  
(sus)1  
= 10A, I = -I = 2A  
B1 B2  
CEX  
C
T
=125°C, l = 180µH, Clamped  
C
V
(sus)2  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= 20A, I = 4A, -I = 2A  
400  
V
CEX  
C
B1  
B2  
T = 125°C, L = 180µH,Clamped  
C
I
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
V
V
= 400V, I = 0  
100  
2
µA  
CBO  
CER  
CB  
E
= 400V, R = 50Ω @  
mA  
CE  
BE  
T
= 125°C  
C
I
Collector Cut-off Curren  
Collector Cut-off Current  
V
= 400V, V (off) = -1.5V  
100  
1
µA  
CEX1  
CE  
BE  
I
V
= 400V, V (off) = -1.5V @  
mA  
CEX2  
CE  
BE  
T = 125Ω  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
10  
80  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
h
V
V
V
= 5V, I = 2A  
15  
10  
7
35  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 5A  
C
= 5V, I = 10A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base Emitter ON Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= 10A, I = 2A  
0.3  
1
1
1.5  
1
V
V
CE  
C
C
B
= 10A, I = 2A  
BE  
B
t
t
t
V
= 150V, I = 10A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
I
= -I = 2A  
Storage Time  
B1  
B2  
2.5  
0.7  
STG  
F
R = 15Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
N
R
O
Y
h
15 ~ 30  
20 ~ 40  
30 ~ 60  
40 ~ 80  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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