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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> KSC1674CYTA_NL
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KSC1674CYTA_NL

更新时间： 2024-11-15 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 振荡器放大器电视
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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KSC1674CYTA_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.63
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.02 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

KSC1674CYTA_NL 数据手册

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KSC1674  
TV PIF Amplifier, FM Tuner RF Amplifier,  
Mixer, Oscillator  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f =600MHz (TYP.)  
T
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
20  
CBO  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
20  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
20  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=30V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
=4V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1mA  
40  
240  
FE  
C
V
V
(on)  
Base-Emitter On Voltage  
=6V, I =1mA  
0.72  
0.1  
600  
1.2  
12  
V
V
BE  
CE  
C
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.3  
C
B
f
V
=6V, I =1mA  
400  
MHz  
pF  
ps  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
c·rbb’  
Collector-Base Time Constant  
=6V, I =1mA  
15  
C
f=31.9MHz  
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =1mA  
3.0  
5.0  
dB  
CE  
C
R =50Ω, f=100MHz  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, November 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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