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KSA542O PDF预览

KSA542O

更新时间： 2024-10-02 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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KSA542O 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KSA542O 数据手册

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KSA542  
LOW FREQUENCY AMPLIFIER  
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V (sat)= -0.15V(TYP.)  
Complement to KSC184  
= -30V  
CBO  
CE  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-25  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-30  
-25  
- 5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA. I =0  
C
B
I
= -10µA. I =0  
V
E
C
I
I
V
V
V
= -25V, I =0  
-100  
-100  
400  
-0.3  
-1.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
= -3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -6V, I = -1mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.15  
-0.65  
100  
V
V
CE  
C
B
V
= -6V, I = -1mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
= -6V, I = -1mA  
MHz  
pF  
T
C
C
= -6V, I = 0, f=1MHz  
2.5  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
120 ~ 240  
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
200 ~ 400  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA542-O SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSA542OD26Z FAIRCHILD

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