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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA614 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSA614 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| KSA614 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| KSA614 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220 |
|
| KSA614O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| KSA614-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSA614OTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSA614R | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSA614-R | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSA614Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
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