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KSA614

更新时间： 2024-10-01 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSA614 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：55 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSA614 数据手册

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KSA614  
Low Frequency Power Amplifier  
Power Regulator  
•
•
Collector-Base Voltage : V  
= -80V  
CBO  
Collector Dissipation : P =25W (T =25°C)  
C
C
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 80  
Units  
V
V
V
V
Collector- Base Voltage  
CBO  
Collector- Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
- 55  
V
CEO  
EBO  
- 5  
V
I
- 3  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
W
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= - 500µA, I = 0  
- 80  
- 55  
- 5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
= - 10mA, I = 0  
B
C
I = - 500µA, I = 0  
V
E
C
I
V
= - 50V, I = 0  
- 50  
240  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= - 5V, I = - 0.5A  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
= - 1A, I = - 0.1A  
- 0.15  
- 0.5  
V
CE  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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