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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.92 |
| 控制类型： | COMMON CONTROL | 计数方向： | BIDIRECTIONAL |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大I（ol）： | 0.024 A | 湿度敏感等级： | 3 |
| 位数： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 40 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Bus Driver/Transceivers | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 翻译： | N/A | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KS74HCTLS86J | SAMSUNG |
获取价格 |
XOR Gate, CMOS, CDIP14 |
|
| KS74HCTLS86N | SAMSUNG |
获取价格 |
XOR Gate, CMOS, PDIP14 |
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| KS7523 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 75V V(BR), Silicon, |
|
| KS7524 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 75V V(BR), Silicon, |
|
| KS7719NZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +1.9VV, CMOS, PBCY3 |
|
| KS7720CZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2VV, CMOS, PBCY3 |
|
| KS7721NZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2.1VV, CMOS, PBCY3 |
|
| KS7723CZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2.3VV, CMOS, PBCY3 |
|
| KS7724NZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2.4VV, CMOS, PBCY3 |
|
| KS7725CZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2.5VV, CMOS, PBCY3 |
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