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KS74HCTLS86N

更新时间: 2024-11-15 18:02:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数 文件大小 规格书
6页 338K
描述
XOR Gate, CMOS, PDIP14

KS74HCTLS86N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP14,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.87JESD-30 代码:R-PDIP-T14
JESD-609代码:e0负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:XOR GATE最大I(ol):0.008 A
端子数量:14最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 VProp。Delay @ Nom-Sup:31 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
子类别:Gates标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KS74HCTLS86N 数据手册

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