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KRC660E

更新时间： 2024-11-08 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRC660E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

KRC660E 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KRC660E~KRC664E  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
B1  
FEATURES  
With Built-in Bias Resistors.  
Simplify Circuit Design.  
1
2
3
5
4
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
High Packing Density.  
_
1.0+0.05  
_
1.6+0.05  
_
+
1.2 0.05  
B1  
C
0.50  
_
0.2+0.05  
D
H
J
EQUIVALENT CIRCUIT  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
_
+
0.5 0.05  
_
+
0.12 0.05  
P
P
5
4
C
P
5
R1  
Q1  
Q2  
B
1. Q IN (BASE)  
1
2. Q , Q COMMON (EMITTER)  
2
1
3. Q IN (BASE)  
2
4. Q OUT (COLLECTOR)  
2
E
1
2
3
5. Q OUT (COLLECTOR)  
1
TESV  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL RATING  
UNIT  
CHARACTERISTIC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
SYMBOL RATING  
UNIT  
mW  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
50  
5
V
V
PC *  
Tj  
200  
150  
V
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Rating.  
-55 150  
100  
mA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
100  
-
UNIT  
nA  
VCB=50V, IE=0  
Collector Cut-off Current  
-
-
-
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
120  
-
nA  
hFE  
VCE=5V, IC=1mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
VCE=10V, IC=5mA  
DC Current Gain  
-
VCE(sat)  
fT *  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.1  
250  
0.3  
-
V
-
MHz  
KRC660E  
KRC661E  
-
-
-
-
-
4.7  
10  
-
-
-
-
-
KRC662E  
KRC663E  
KRC664E  
R1  
100  
22  
Input Resistor  
k
47  
Note : * Characteristic of Transistor Only.  
Marking  
Type Name  
5
4
MARK SPEC  
TYPE  
KRC660E  
NK  
KRC661E  
NM  
KRC662E  
NN  
KRC663E  
NO  
KRC664E  
NP  
MARK  
1
2
3
2002. 7. 10  
Revision No : 3  
1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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